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산업


'반도체 기술유출' 삼성전자 전 부장, 1심서 징역 7년

18나노 D램 반도체 공정, 중국 창신메모리테크놀로지에 유출한 혐의

 

 

반도체 핵심 기술을 중국 회사에 유출한 혐의로 재판에 넘겨진 삼성전자와 협력업체 전직 직원이 1심에서 중형을 선고받았다.

 

19일 서울중앙지법 형사합의25부(지귀연 부장판사)는 산업기술보호법 위반 등 혐의로 구속기소된 전직 삼성전자 부장 김모씨에게 징역 7년과 벌금 2억원, 협력업체 A사 직원 방모씨에게 징역 2년 6개월을 선고했다.

 

김씨는 국가 핵심기술인 삼성전자의 18나노 D램 반도체 공정 정보를 중국 기업인 창신메모리테크놀로지(CXMT)에 무단 유출해 제품 개발에 사용하게 한 혐의 등을 받았다.

 

검찰은 김씨가 2016년 신생 업체인 CXMT로 이직하면서 반도체 '증착' 관련 자료와 7개 핵심 공정 관련 기술 자료를 유출하고 수백억원대 금품을 수수한 혐의로 기소했다. 또 최소 세후 5억원이 넘는 금액을 제시하며 삼성전자와 관계사의 기술 인력 20여명을 빼간 것으로 파악했다.

 

방씨는 김씨와 공모해 반도체 장비를 납품하는 A사의 설계 기술자료를 CXMT에 넘긴 혐의를 받는다.

 

재판부는 "이는 대한민국 국가산업 경쟁력에 큰 악영향을 줄 수 있는 중대 범죄"라며 "피해 회사의 손해가 가볍지 않고, 특히 삼성전자의 피해는 어마어마한 액수에 이를 것으로 예상할 수 있다"고 밝히며 김씨에게 징역 7년과 벌금 2억원을 선고했다. 

 

 




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